MRAM

下世代記憶體技術大突破，科技部 14 日發表由清華大學團隊開發的前瞻技術，成功以電子自旋流操控磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)中的磁性，突破目前僅能先加熱、外加磁場，再降溫來改變MRAM磁性的方式。這項成果為全球首創，對國內記憶體、半導體產業發展將有決定性的影響力，近期也登上全球材料界頂級期刊「自然材料」(Nature Materials)。