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聯電:與英特爾合作12奈米進展順利 2027年量產

聯電總經理王石。圖片來源:中央社

晶圓代工廠聯電今天召開股東常會,總經理王石表示,與英特爾( Intel )於美國合作 12 奈米鰭式場效電晶體( FinFET )進展順利,目前正在亞利桑那州廠區進行驗證,預計 2027 年量產。

王石致詞說,過去一年,聯電迎來成立 45 週年重要里程碑,面對全球消費需求回升緩慢、地緣政治不確定性升高,以及匯率波動和外部挑戰,聯電憑藉明確的差異化策略和穩健的執行性,持續展現長期競爭力,並繳出穩健營運成果。

聯電去年營收達新台幣 2376 億元,毛利率 29 %,營業利利率 18 .5%,歸屬母公司淨利 417 億元,每股純益3. 34 元。王石表示,聯電在面對挑戰下,仍能以審慎策略、強韌體制及技術深耕,維持穩健的成長。

王石指出,聯電 22 奈米、 28 奈米及特殊製程的年度營收貢獻再創歷史新高,鞏固了聯電在成熟及特殊製程領域的地位;在新加坡廠第 3 期擴建順利,進一步強化聯電全球供應鏈及產能布局的韌性。

王石說,聯電持續聚焦高附加價值技術及未來關鍵應用,積極布局次世代成長動能,去年研發投入達 177 億元,專注於 5G 、通訊物聯網、車用電子及 AI 等未來創新領域所需要的技術開發。

在 12 奈米 FinFET 平台方面,王石表示,聯電與英特爾於美國合作進展順利,英特爾已完成製程技術轉移,目前正在亞利桑那州廠區進行驗證,預計今年完成驗證,並於明年量產,成為聯電重要的美國在地製造布局。

在先進封裝領域,王石指出,聯電持續推進 AI 相關應用,主動式的中介層,目前正與多家客戶進行驗證;導入深溝槽電容技術的 2. 5D 封裝解決方案,也順利出貨予主要的客戶。在次世代高速通訊領域方面,聯電已取得 imec 矽光子技術授權, 12 吋矽光子技術平台已正式進入試產階段,積極的布局下世代高速連接應用市場。

(新聞資料來源 : 中央社)

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